BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies
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| 79+ | 2.3 EUR |
| 115+ | 1.51 EUR |
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Technische Details BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.
Weitere Produktangebote BSZ068N06NSATMA1 nach Preis ab 0.81 EUR bis 3.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 29158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V |
auf Bestellung 1503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSZ068N06NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 2.3 EUR |
| 115+ | 1.55 EUR |
| 166+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| BSZ068N06NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 29158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.22 EUR |
| 10+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 2500+ | 1.04 EUR |
| 5000+ | 0.86 EUR |
| BSZ068N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 3.52 EUR |
| 123+ | 1.89 EUR |
| 250+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 3000+ | 0.98 EUR |
| BSZ068N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.52 EUR |
| 123+ | 1.89 EUR |
| 250+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 3000+ | 0.98 EUR |
| BSZ068N06NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.56 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 50+ | 1.69 EUR |
| 100+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |