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BSZ084N08NS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSZ084N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca9007801edb
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details BSZ084N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSZ084N08NS5ATMA1 nach Preis ab 0.95 EUR bis 3.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON 3983704.pdf Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 127438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
112+2.09 EUR
143+1.5 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON 3983704.pdf Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 127438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.12 EUR
112+2.09 EUR
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1000+1.13 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ084N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca9007801edb Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V
auf Bestellung 5455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
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2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ084N08NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
auf Bestellung 10762 Stücke:
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 127438 Stücke:
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V
auf Bestellung 5455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
auf Bestellung 10762 Stücke:
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