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BSZ086P03NS3EGATMA1

BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies

bsz086p03ns3eg_2.03.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies bsz086p03ns3eg_2.03.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
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108+1.61 EUR
157+1.08 EUR
159+1.05 EUR
164+0.99 EUR
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BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON INFNS17739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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102+2.46 EUR
123+1.89 EUR
193+1.12 EUR
500+0.93 EUR
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Hersteller: INFINEON
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