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BSZ086P03NS3GATMA1

BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz086p03ns3g_2.0.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz086p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ086P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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