BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
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Technische Details BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc), FET Type: N-Channel.
Weitere Produktangebote BSZ0909NSATMA1 nach Preis ab 0.21 EUR bis 2.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 3715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 9796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 3715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSONVoltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 41067 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ0909NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 34V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0909NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 34V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
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| 5000+ | 0.31 EUR |
| BSZ0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
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|---|---|
| 532+ | 0.32 EUR |
| 570+ | 0.3 EUR |
| 601+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| BSZ0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
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|---|---|
| 541+ | 0.32 EUR |
| 650+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| BSZ0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
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|---|---|
| 5000+ | 0.32 EUR |
| BSZ0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 497+ | 0.35 EUR |
| 525+ | 0.32 EUR |
| 532+ | 0.31 EUR |
| 570+ | 0.27 EUR |
| 571+ | 0.26 EUR |
| 601+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| BSZ0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.43 EUR |
| BSZ0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 41067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.59 EUR |
| 22+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
| BSZ0909NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 95+ | 2.65 EUR |
| 157+ | 1.48 EUR |
| BSZ0909NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.65 EUR |
| 157+ | 1.48 EUR |



