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BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 35000 Stücke:
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Technische Details BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc), FET Type: N-Channel.

Weitere Produktangebote BSZ0909NSATMA1 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 41067 Stücke:
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14+1.34 EUR
22+0.83 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
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BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 163 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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BSZ0909NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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