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BSZ097N04LSGATMA1

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Produktcode: 170565
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ097N04LS_G_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON INFNS16427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 10196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
204+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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BSZ097N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.24 EUR
165+1.02 EUR
166+0.98 EUR
225+0.69 EUR
250+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c
BSZ097N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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BSZ097N04LSGATMA1 INFNS16427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ097N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 10196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
204+1.05 EUR
500+0.83 EUR
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5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 3596 Stücke:
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