BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Weitere Produktangebote BSZ100N06LS3GATMA1 nach Preis ab 0.56 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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| BSZ100N06LS3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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