BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSZ100N06NSATMA1 nach Preis ab 0.46 EUR bis 3.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 27386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ100N06NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSZ100N06NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
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| BSZ100N06NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 27386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 86+ | 2.09 EUR |
| 123+ | 1.39 EUR |
| 176+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| 2500+ | 0.57 EUR |
| 5000+ | 0.51 EUR |
| 10000+ | 0.49 EUR |
| 25000+ | 0.46 EUR |
| BSZ100N06NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 27386 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.11 EUR |
| 122+ | 1.44 EUR |
| 174+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 2500+ | 0.64 EUR |
| 5000+ | 0.58 EUR |
| 10000+ | 0.57 EUR |
| 25000+ | 0.52 EUR |
| BSZ100N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 88+ | 2.84 EUR |
| 137+ | 1.7 EUR |
| 190+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| BSZ100N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Produktpalette: OptiMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.84 EUR |
| 137+ | 1.7 EUR |
| 190+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| BSZ100N06NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 3.53 EUR |
| 10+ | 1.67 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
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