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BSZ110N06NS3GATMA1

BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies


BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
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Technische Details BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz110n06ns3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 3873 Stücke:
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270+0.51 EUR
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BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz110n06ns3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
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214+0.69 EUR
232+0.62 EUR
237+0.58 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
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2000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ110N06NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
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