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BSZ110N08NS5ATMA1

BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz110n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5000
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz110n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 5000
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz110n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ110N08NS5_DataSheet_v02_03_EN-3360910.pdf MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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Mindestbestellmenge: 2
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
auf Bestellung 24680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.38 EUR
14+1.33 EUR
100+1.03 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS30012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 8760bsz110n08ns5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6filei.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz110n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E42CFD251E11C&compId=BSZ110N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=f275ad3f127399cd10fc2d635f9bdc2dfb4fa4d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E42CFD251E11C&compId=BSZ110N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=f275ad3f127399cd10fc2d635f9bdc2dfb4fa4d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
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