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BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies


BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
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Technische Details BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ120P03NS3_G_DS_v02_01_en-1731328.pdf MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
auf Bestellung 32634 Stücke:
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BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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