BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSZ123N08NS3GATMA1 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.52 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V |
auf Bestellung 42466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 19694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8 On-state resistance: 12.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSZ123N08NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8 On-state resistance: 12.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A |
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