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BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ123N08NS3G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e5ec96fdc0a00 Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ123N08NS3G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e5ec96fdc0a00 Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ123N08NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360875.pdf MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E449F0943811C&compId=BSZ123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=3c3f5976f273d1c142310ae9d70a9357326ae452 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E449F0943811C&compId=BSZ123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=3c3f5976f273d1c142310ae9d70a9357326ae452 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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