
BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 0.78 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSZ12DN20NS3GATMA1 nach Preis ab 0.70 EUR bis 3.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 4192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |