BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote BSZ160N10NS3GATMA1 nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.32 EUR
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 2177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V |
auf Bestellung 12328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 2126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 5766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ160N10NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 63W Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TSDSON-8 |
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