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BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370 Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ160N10NS3_G_DS_v02_01_EN-3361012.pdf MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370 Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON 2060043.pdf Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON 2060043.pdf Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4C62B0C9011C&compId=BSZ160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=2e6ee9257ae56d215ef4850cabfc0283f7a1cc95 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4C62B0C9011C&compId=BSZ160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=2e6ee9257ae56d215ef4850cabfc0283f7a1cc95 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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