BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 63+ | 2.29 EUR |
| 68+ | 2.05 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 200+ | 1.53 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| 2000+ | 1.14 EUR |
| 5000+ | 1.11 EUR |
| 10000+ | 1.08 EUR |
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Technische Details BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSZ16DN25NS3GATMA1 nach Preis ab 1.18 EUR bis 3.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 33097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Drain current: 10.9A On-state resistance: 0.165Ω Power dissipation: 62.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V |
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