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BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1 INFINEON

BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.3 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.49 EUR
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Technische Details BSZ16DN25NS3GATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 20768 Stücke:
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63+2.76 EUR
68+2.53 EUR
100+2.09 EUR
200+1.94 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.69 EUR
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5000+1.52 EUR
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BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.75 EUR
100+2.05 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 INFINEON BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ16DN25NS3_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.14 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.65 EUR
2500+1.59 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
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Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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BSZ16DN25NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
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1+4.96 EUR
10+3.14 EUR
100+2.2 EUR
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