BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSZ180P03NS3EGATMA1 nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.39 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSZ180P03NS3EGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V |
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BSZ180P03NS3EGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 |
auf Bestellung 34930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ180P03NS3EGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BSZ180P03NS3EGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |