Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ180P03NS3EGATMA1
BSZ180P03NS3EGATMA1

BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies


bsz180p03ns3eg_2.1.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.26 EUR
10000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSZ180P03NS3EGATMA1 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz180p03ns3eg_2.1.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.26 EUR
10000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz180p03ns3eg_2.1.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
501+0.30 EUR
526+0.27 EUR
527+0.26 EUR
528+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 501
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz180p03ns3eg_2.1.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
477+0.31 EUR
496+0.29 EUR
501+0.27 EUR
526+0.25 EUR
527+0.24 EUR
528+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 477
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz180p03ns3eg_2.1.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 475000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz180p03ns3eg_2.1.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
376+0.39 EUR
378+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 376
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ180P03NS3E_G_DS_v02_01_en-1731313.pdf MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 13440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.05 EUR
10+0.75 EUR
100+0.53 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050 Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.27 EUR
20+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : INFINEON BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050 Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : INFINEON BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050 Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz180p03ns3eg_2.1.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz180p03ns3eg_2.1.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050 Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH