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BSZ22DN20NS3GATMA1

BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon_BSZ22DN20NS3_DS_v02_02_en-1731260.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Technische Details BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V.

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BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
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BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz22dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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