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BSZ340N08NS3GATMA1

BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon_BSZ340N08NS3G_DS_v02_03_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Technische Details BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz340n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ340N08NS3GATMA1 INFINEON INFNS19714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
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