BSZ440N10NS3 G INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Application: automotive industry
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Technische Details BSZ440N10NS3 G INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 72A, Power dissipation: 29W, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 9.1nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™, Application: automotive industry.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BSZ440N10NS3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSZ440N10NS3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH