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BSZ440N10NS3GATMA1

BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

BSZ440N10NS3G-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 5867 Stücke:
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92+0.94 EUR
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Technische Details BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.044 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON BSZ440N10NS3+Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c32dbf312354 Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.044 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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186+1.25 EUR
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BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ440N10NS3+Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c32dbf312354 Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
auf Bestellung 6182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ440N10NS3 G-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 42739 Stücke:
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10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ440N10NS3+Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c32dbf312354 Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.044 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
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2000+0.6 EUR
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BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon-BSZ440N10NS3 G-DS-v02_01-EN.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
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10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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