BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 0.72 EUR |
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Technische Details BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSZ900N15NS3GATMA1 nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3058 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 |
auf Bestellung 3058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V |
auf Bestellung 12435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 1906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 16356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 1906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 18283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 18283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |