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BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz900n15ns3rev2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+1.38 EUR
112+1.25 EUR
128+1.05 EUR
200+0.96 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 105
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BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC3D3610F9C11C&compId=BSZ900N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=9fdf07bf8b46a4af954041b1051c6e9372bea50e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3058 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
65+1.12 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC3D3610F9C11C&compId=BSZ900N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=9fdf07bf8b46a4af954041b1051c6e9372bea50e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
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100+0.72 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
auf Bestellung 12435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.87 EUR
14+1.3 EUR
100+1.02 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz900n15ns3rev2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.93 EUR
79+1.78 EUR
100+1.37 EUR
250+1.25 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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10+1.39 EUR
100+1.08 EUR
500+0.92 EUR
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25000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz900n15ns3rev2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+2.16 EUR
75+1.86 EUR
79+1.71 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16784-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18283 Stücke:
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BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz900n15ns3rev2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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