Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ900N20NS3GATMA1
BSZ900N20NS3GATMA1

BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz900n20ns3rev2.1.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.36 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSZ900N20NS3GATMA1 nach Preis ab 0.99 EUR bis 2.80 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz900n20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.36 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
46+1.59 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
250+1.23 EUR
500+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
46+1.59 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
250+1.23 EUR
500+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ900N20NS3_DS_v02_02_en-1731283.pdf MOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.68 EUR
10+2.22 EUR
100+1.69 EUR
250+1.63 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.80 EUR
10+1.96 EUR
100+1.32 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz900n20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz900n20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz900n20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH