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BTS244ZE3062AATMA2

BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: PG-TO263-5-2, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), FET Feature: Temperature Sensing Diode, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB, Packaging: Tape & Reel (TR), Grade: Automotive.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies bts244z_ds_14.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies bts244z_ds_14.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 INFINEON INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+12.51 EUR
100+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 INFINEON INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
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Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BTS244ZE3062AATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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BTS244ZE3062AATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BTS244ZE3062AATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BTS244ZE3062AATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+12.51 EUR
100+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BTS244ZE3062AATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+12.51 EUR
100+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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