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BTS244ZE3062AATMA2

BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies


INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:

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Technische Details BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO263-5-2, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BTS244ZE3062AATMA2 nach Preis ab 5.16 EUR bis 9.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Hersteller : Infineon Technologies bts244z_ds_14.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
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BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Hersteller : Infineon Technologies bts244z_ds_14.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 666 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 108
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Hersteller : INFINEON INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Hersteller : INFINEON INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
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Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BTS244Z_DS_v01_04_en-1226589.pdf MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4
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