BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies
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Technische Details BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO263-5-2, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BTS244ZE3062AATMA2 nach Preis ab 6.2 EUR bis 13.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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BTS244ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R |
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BTS244ZE3062AATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Speed TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS244ZE3062AATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Speed TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS244ZE3062AATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 108+ | 6.2 EUR |
| BTS244ZE3062AATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 19+ | 13.45 EUR |
| 24+ | 9.94 EUR |
| 100+ | 6.62 EUR |
| BTS244ZE3062AATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 19+ | 13.45 EUR |
| 24+ | 9.94 EUR |
| 100+ | 6.62 EUR |