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BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies

bts282z_ds_13.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 679 Stücke:
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Technische Details BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-1, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 49V
Technology: TEMPFET®
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Operating temperature: -40...175°C
Power dissipation: 300W
auf Bestellung 75 Stücke:
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9+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 113 Stücke:
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14+18.24 EUR
18+13.48 EUR
20+11.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 113 Stücke:
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BTS282ZE3180AATMA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3180AATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 49V
Technology: TEMPFET®
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Operating temperature: -40...175°C
Power dissipation: 300W
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BTS282ZE3180AATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: TEMPFET
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 113 Stücke:
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18+13.48 EUR
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BTS282ZE3180AATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: TEMPFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 113 Stücke:
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14+18.24 EUR
18+13.48 EUR
20+11.25 EUR
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