BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BTS282ZE3180AATMA2 nach Preis ab 5.63 EUR bis 8.58 EUR
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BTS282ZE3180AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1 Operating temperature: -40...175°C Case: PG-TO263-7-1 On-state resistance: 6.5mΩ Output voltage: 49V Output current: 36A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Power dissipation: 300W Integrated circuit features: internal temperature sensor Kind of package: reel; tape Technology: TEMPFET® Kind of integrated circuit: low-side Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1 Operating temperature: -40...175°C Case: PG-TO263-7-1 On-state resistance: 6.5mΩ Output voltage: 49V Output current: 36A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Power dissipation: 300W Integrated circuit features: internal temperature sensor Kind of package: reel; tape Technology: TEMPFET® Kind of integrated circuit: low-side Mounting: SMD |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 49V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 49V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 49V 36A D2PAK-6 |
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