BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 7.98 EUR |
| 500+ | 7.39 EUR |
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Technische Details BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-1, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BTS282ZE3180AATMA2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 36A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TO263-7-1 Technology: TEMPFET® Kind of package: reel; tape On-state resistance: 6.5mΩ Power dissipation: 300W Operating temperature: -40...175°C Integrated circuit features: internal temperature sensor Output voltage: 49V |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 49V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 49V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BTS282ZE3180AATMA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
Technology: TEMPFET®
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 300W
Operating temperature: -40...175°C
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Output voltage: 49V
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
Technology: TEMPFET®
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 300W
Operating temperature: -40...175°C
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Output voltage: 49V
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| BTS282ZE3180AATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS282ZE3180AATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
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