Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BTS282ZE3230AKSA2
BTS282ZE3230AKSA2

BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies

BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-7, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO220-7-12, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BTS282ZE3230AKSA2 nach Preis ab 5.91 EUR bis 9.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+6.84 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
94+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS27932-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS282ZE3230AKSA2 - BTS282 TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW-SIDE TEM
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t BTS282ZE3230 Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.5 EUR
12+6.25 EUR
13+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3230AKSA2
Produktcode: 163635
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : Infineon Technologies BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-7-12
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BTS282Z_DS_v01_03_en-1731208.pdf MOSFETs HITFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH