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BTS282ZE3230AKSA2

BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies


BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-7, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO220-7-12, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
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BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BTS282Z_DS_v01_03_en-1731208.pdf MOSFET HITFET
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500+6.41 EUR
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BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
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BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
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BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS27932-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS282ZE3230AKSA2 - BTS282 TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW-SIDE TEM
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BTS282ZE3230AKSA2
Produktcode: 163635
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-7-12
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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