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BU208A

BU208A HANGDA brand

BU208A_508A_508AFI.pdf
Produktcode: 222981
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Hersteller: HANGDA brand
Gehäuse: TO-3
Transitfrequenz fT: 7 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 В
Kollektorstrom Ic, A: 8 А
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BU208A (NPN-Bipolartransistor) BU208A (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 36700
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ON Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
Transitfrequenz fT: 7 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+2.92 EUR
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BU208A BU208A STMicroelectronics BU208A_508A_508AFI.pdf Description: TRANS NPN 700V 8A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 7MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 150 W
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BU208A BU208A STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000993.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage Sw
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BU208A (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 36700
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BU208A (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
Transitfrequenz fT: 7 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
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Hersteller: CYD
(NPN,1500V,8A,TO-3,АНАЛОГ КТ838,КТ846) Транзистори
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Hersteller: STM
(NPN,1500V,8A,TO-3,АНАЛОГ КТ838,КТ846) Транзистори
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Hersteller: Toshiba
(NPN,1500V,8A,TO-3,АНАЛОГ КТ838,КТ846) Транзистори
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BU208A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 700V 8A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Frequency - Transition: 7MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 150 W
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage Sw
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