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BU406G

BU406G ON Semiconductor

bu406-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details BU406G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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BU406G BU406G Hersteller : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BU406G BU406G Hersteller : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BU406G BU406G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD93F969D24469&compId=BU406G.PDF?ci_sign=d4cf8db71c24159305f82021fb1d0dd01a737008 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Frequency: 10MHz
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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32+2.26 EUR
40+1.79 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
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BU406G BU406G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD93F969D24469&compId=BU406G.PDF?ci_sign=d4cf8db71c24159305f82021fb1d0dd01a737008 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Frequency: 10MHz
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Type of transistor: NPN
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BU406G BU406G Hersteller : onsemi bu406-d.pdf Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
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500+1.1 EUR
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BU406G BU406G Hersteller : onsemi BU406_D-1802593.pdf Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
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50+1.56 EUR
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BU406G BU406G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011215178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
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BU406G BU406G Hersteller : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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