BU406G ON Semiconductor
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Technische Details BU406G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BU406G | Hersteller : ONSEMI |
 Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 7A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BU406G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 7A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
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BU406G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BU406G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 200V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 60 W |
auf Bestellung 3638 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BU406G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN |
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BU406G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BU406G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BU406G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BU406G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BU406G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BU406G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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