BU508AF (Bipolartransistor NPN) (ST) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BU508AF (Bipolartransistor NPN)

BU508AF (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 33805
Hersteller: ST
Gehäuse: ISOWATT218
fT: 7 MHz
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 1500
Ic,A: 5
h21: 30

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Technische Details BU508AF (Bipolartransistor NPN)

  • TRANSISTOR, NPN, SOT-199
  • Transistor Type:Power High Voltage Switching
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:700V
  • Max Current Ic Continuous a:8A
  • Min Hfe:6
  • Typ Gain Bandwidth ft:7MHz
  • Case Style:SOT-199
  • Current Ic hFE:100mA
  • Fall Time @ Ic:1es
  • Max Current Ic:8A
  • Max Power Dissipation Ptot:34W
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Saturation Current Ic:4.5A
  • Voltage Vcbo:1500V
  • Voltage Vces:1500V

Preis BU508AF (Bipolartransistor NPN) ab 1.2 EUR bis 8.47 EUR

BU508AF
Hersteller: ST

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BU508AF
BU508AF
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 50W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700V
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: STMicroelectronics
Base Part Number: BU508
Supplier Device Package: TO-3PF
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
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BU508AF
BU508AF
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
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BU508AF
Hersteller: INCHANGE
NPN 8A 700V 34W Trans. BU508AF TO3PM TBU508af
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BU508AF
BU508AF
Hersteller:
/to-3pf/
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BU508AF
BU508AF
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
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BU508AF
Hersteller: NXP
Description: NXP - BU508AF - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 700 V, SOT-199, Through Hole
Transistor Mounting: Through Hole
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BU508AF
Hersteller:
BU508AF TRANS NPN HV CRT ISOWATT218FX (SOT199)
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BU508AF
Hersteller:
BU508AF TRANS NPN HV CRT ISOWATT218FX (SOT199)
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BU508AF
Hersteller:
BU508AF TRANS NPN HV CRT ISOWATT218FX (SOT199)
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BU508AF
Hersteller: Inchange Semiconductor

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BU508AF
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube
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BU508DF (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 34292
BU508DF.pdf
Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
fT: 7 MHz
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 1500
Ic,A: 5
Bem.: R+D
12 Stück - stock Köln
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10+ 0.96 EUR
Isolierband 3M (schwarz, Breite19mm, Starke0,13mm, Lange20m)
Produktcode: 27294
Isolierband 3M (schwarz, Breite19mm, Starke0,13mm, Lange20m)
Elektronische Bauelemente und Systeme - Isoliermaterialien
Gruppe: Isolierband
Beschreibung: Isolierband 3M (SCHWARZ, Breite19mm, Starke0,13mm, Lange20m)
Größe: B=19mm, D=20m
150 Rolle - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 1.13 EUR
1000uF 35V ECR 13x21mm (ECR102M35B-Hitano)
Produktcode: 2946
ECR_081225.pdf
1000uF 35V ECR 13x21mm (ECR102M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren - Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 35V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 13x21mm
8532 22 00 00
30 Stück - stock Köln
600 Stück - erwartet 30.12.2021
800 Stück - erwartet
1+ 0.29 EUR
10+ 0.24 EUR
100+ 0.17 EUR
10 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 13878
MOR_080911.pdf
10 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT - Widerstande THT - 2W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
3351 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.035 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.02 EUR