BU508AW STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BU508AW STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BU508AW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BU508AW nach Preis ab 1.12 EUR bis 6.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 8A; 125W; TO247-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 700V Collector current: 8A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 8A; 125W; TO247-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 700V Collector current: 8A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube |
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BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 700V 8A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V Power - Max: 125 W |
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BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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BU508AW | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BU508AW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BU508AW (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 1971
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : NXP |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-247 fT: 4 MHz Uceo,V: 1500 Ucbo,V: 1500 Ic,A: 8 h21: 30 |
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| BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor |
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