BU508AW (Bipolartransistor NPN) (NXP) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BU508AW (Bipolartransistor NPN)

BU508AW (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 1971
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-247
fT: 4 MHz
Uceo,V: 1500
Ucbo,V: 1500
Ic,A: 8
h21: 30

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Technische Details BU508AW (Bipolartransistor NPN)

Preis BU508AW (Bipolartransistor NPN) ab 1.71 EUR bis 7.16 EUR

BU508AW
Hersteller: ST

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36+ 2.31 EUR
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BU508AW
BU508AW
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 700V 8A TO-247
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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BU508AW
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BU508AW - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 125
DC Current Gain hFE: 5
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 8
Transistor Case Style: TO-247
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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BU508AW
BU508AW
Hersteller:

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Material: BU508AW NPN THT transistors
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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