BU508AW (Bipolartransistor NPN) NXP
Produktcode: 1971
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-247
fT: 4 MHz
Uceo,V: 1500
Ucbo,V: 1500
Ic,A: 8
h21: 30
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote BU508AW (Bipolartransistor NPN) nach Preis ab 1.3 EUR bis 6.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 6600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 6600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 25221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 25225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 8A; 125W; TO247-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 700V Collector current: 8A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 700V 8A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V Power - Max: 125 W |
auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BU508AW | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor |
auf Bestellung 1392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BU508AW | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BU508AW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 15325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| BU508AW | Hersteller : NXP |
(NPN,1500V,8A,125W,SOT-429) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |




