BUB323ZT4G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BUB323ZT4G onsemi
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUB323ZT4G nach Preis ab 1.97 EUR bis 5.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BUB323ZT4G | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 150 W |
auf Bestellung 4280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUB323ZT4G | onsemi |
Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 4138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUB323ZT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUB323ZT4G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.12 EUR |
| 10+ | 3.52 EUR |
| 100+ | 2.56 EUR |
| BUB323ZT4G |
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN
Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 4138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.68 EUR |
| 10+ | 3.73 EUR |
| 100+ | 2.43 EUR |
| 500+ | 2.04 EUR |
| 800+ | 1.97 EUR |
| BUB323ZT4G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)