BUB323ZT4G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 800+ | 3.99 EUR |
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Technische Details BUB323ZT4G onsemi
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 500, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BUB323ZT4G nach Preis ab 3.87 EUR bis 7.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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BUB323ZT4G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 8588 Stücke: Lieferzeit 430-444 Tag (e) |
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BUB323ZT4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 150 W |
auf Bestellung 929 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUB323ZT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 500 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUB323ZT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUB323ZT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUB323ZT4G | Hersteller : ONSEMI |
BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors |
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