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BUK6607-55C,118

BUK6607-55C,118 Nexperia

BUK6607_55C-2937546.pdf
Hersteller: Nexperia
MOSFET BUK6607-55C/SOT404/D2PAK
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Technische Details BUK6607-55C,118 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK6607-55C,118 BUK6607-55C,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
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BUK6607-55C,118 BUK6607-55C,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 158
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BUK6607-55C,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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BUK6607-55C,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 158
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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