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BUK6Y61-60PX

BUK6Y61-60PX Nexperia

buk6y61-60p.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details BUK6Y61-60PX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : Nexperia buk6y61-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : Nexperia buk6y61-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : Nexperia buk6y61-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : Nexperia BUK6Y61-60P.pdf MOSFETs SOT669 P-CH 60V 25A
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK6Y61-60P.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0009973853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0009973853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : Nexperia buk6y61-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : Nexperia buk6y61-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK6Y61-60PX Hersteller : NEXPERIA BUK6Y61-60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -17.7A; Idm: -100A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -17.7A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK6Y61-60PX BUK6Y61-60PX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK6Y61-60P.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK6Y61-60PX Hersteller : NEXPERIA BUK6Y61-60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -17.7A; Idm: -100A; 66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -17.7A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 66W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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