BUK7631-100E,118 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 464+ | 1.09 EUR |
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Technische Details BUK7631-100E,118 NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BUK7631-100E,118 nach Preis ab 1.09 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BUK7631-100E,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXPERIA BUK7631 - TRANSISTOR >3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7631-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7631-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7631-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 34A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK7631-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 96W Case: D2PAK; SOT404 Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 29.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 136A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7631-100E,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 34A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7631-100E,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7631-100E/D2PAK/REEL 13" Q1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK7631-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 96W Case: D2PAK; SOT404 Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 29.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 136A Mounting: SMD |
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