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BUK7K23-80EX

BUK7K23-80EX Nexperia USA Inc.

BUK7K23-80E.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1542pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details BUK7K23-80EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BUK7K23-80EX BUK7K23-80EX Nexperia USA Inc. BUK7K23-80E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1542pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BUK7K23-80EX BUK7K23-80EX NEXPERIA 2552998.pdf Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK7K23-80EX BUK7K23-80EX NEXPERIA 2552998.pdf Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm
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euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BUK7K23-80EX BUK7K23-80E.pdf
BUK7K23-80EX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1542pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.78 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK7K23-80EX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2454 Stücke:
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