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BUK7M19-60EX

BUK7M19-60EX Nexperia


1747301565300131buk7m19-60e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK7M19-60EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7M19-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUK7M19-60EX BUK7M19-60EX Hersteller : Nexperia 1747301565300131buk7m19-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7M19-60EX BUK7M19-60EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7M19-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK7M19-60EX BUK7M19-60EX Hersteller : Nexperia BUK7M19_60E-1539598.pdf MOSFETs BUK7M19-60E/SOT1210/mLFPAK
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BUK7M19-60EX BUK7M19-60EX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7M19-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BUK7M19-60EX BUK7M19-60EX Hersteller : Nexperia 1747301565300131buk7m19-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7M19-60EX BUK7M19-60EX Hersteller : NEXPERIA 1747301565300131buk7m19-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 36A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK7M19-60EX BUK7M19-60EX Hersteller : Nexperia 1747301565300131buk7m19-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7M19-60EX Hersteller : NEXPERIA BUK7M19-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W
Application: automotive industry
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33; SOT1210
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 143A
Drain current: 25.3A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7M19-60EX BUK7M19-60EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7M19-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK7M19-60EX Hersteller : NEXPERIA BUK7M19-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.3A; Idm: 143A; 55W
Application: automotive industry
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33; SOT1210
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 143A
Drain current: 25.3A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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