BUK7M19-60EX Nexperia
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BUK7M19-60EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7M19-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK7M19-60EX nach Preis ab 0.14 EUR bis 1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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BUK7M19-60EX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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BUK7M19-60EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel 40 V, 20.0 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 |
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BUK7M19-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7M19-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M19-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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BUK7M19-60EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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BUK7M19-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7M19-60EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7M19-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35.8A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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