Technische Details BUK7M27-80EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 62W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Weitere Produktangebote BUK7M27-80EX nach Preis ab 0.36 EUR bis 6.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BUK7M27-80EX | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Nexperia |
MOSFETs N-channel 60 V, 33 mohm standard level MOSFET in LFPAK33 |
auf Bestellung 2676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | NXP |
N-MOSFET 80V 30A 10V 62W AUTOMOTIVE BUK7M27-80EX TBUK7m27-80ex Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 62W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 11334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BUK7M27-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 62W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 11334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1500+ | 0.57 EUR |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1500+ | 0.64 EUR |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 222+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1500+ | 0.36 EUR |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 468+ | 1.17 EUR |
| 520+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 468+ | 1.17 EUR |
| 520+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 60 V, 33 mohm standard level MOSFET in LFPAK33
MOSFETs N-channel 60 V, 33 mohm standard level MOSFET in LFPAK33
auf Bestellung 2676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.57 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| 1500+ | 0.5 EUR |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 92+ | 1.6 EUR |
| 133+ | 1.09 EUR |
| 189+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 2.06 EUR |
| 14+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: NXP
N-MOSFET 80V 30A 10V 62W AUTOMOTIVE BUK7M27-80EX TBUK7m27-80ex
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
N-MOSFET 80V 30A 10V 62W AUTOMOTIVE BUK7M27-80EX TBUK7m27-80ex
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 6.96 EUR |
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 11334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BUK7M27-80EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 11334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)