Technische Details BUK7M3R3-40HX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 101W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.
Weitere Produktangebote BUK7M3R3-40HX nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BUK7M3R3-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 80A |
auf Bestellung 2651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | NXP |
N-MOSFET (Gate Level SL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK7M3R3-40H TBUK7m3r3-40hAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 101W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BUK7M3R3-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 101W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK7M3R3-40HX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 171+ | 0.86 EUR |
| BUK7M3R3-40HX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 164+ | 0.89 EUR |
| 165+ | 0.82 EUR |
| 166+ | 0.79 EUR |
| 167+ | 0.75 EUR |
| 250+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| BUK7M3R3-40HX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 165+ | 0.89 EUR |
| 166+ | 0.87 EUR |
| 167+ | 0.85 EUR |
| 250+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| BUK7M3R3-40HX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 165+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1500+ | 0.62 EUR |
| BUK7M3R3-40HX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 80A
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 80A
auf Bestellung 2651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.74 EUR |
| 10+ | 1.59 EUR |
| 3000+ | 0.94 EUR |
| BUK7M3R3-40HX |
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Hersteller: NXP
N-MOSFET (Gate Level SL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK7M3R3-40H TBUK7m3r3-40h
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET (Gate Level SL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK7M3R3-40H TBUK7m3r3-40h
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.78 EUR |
| BUK7M3R3-40HX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.89 EUR |
| 10+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| BUK7M3R3-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BUK7M3R3-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)





