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BUK7M3R3-40HX

BUK7M3R3-40HX Nexperia

buk7m3r340h.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details BUK7M3R3-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Hersteller : Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7M3R3-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Hersteller : Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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129+1.07 EUR
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250+0.98 EUR
500+0.93 EUR
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BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Hersteller : Nexperia buk7m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7M3R3-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Hersteller : Nexperia BUK7M3R3-40H.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 42 mohm standard level MOSFET in LFPAK33
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BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Hersteller : NEXPERIA 2787524.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Hersteller : NEXPERIA 2787524.pdf Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
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BUK7M3R3-40HX BUK7M3R3-40HX Hersteller : NEXPERIA buk7m3r3-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK7M3R3-40HX Hersteller : NXP BUK7M3R3-40H.pdf N-MOSFET (Gate Level SL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK7M3R3-40H TBUK7m3r3-40h
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BUK7M3R3-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK7M3R3-40H.pdf BUK7M3R3-40HX SMD N channel transistors
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