BUK7M8R0-40EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 16+ | 1.13 EUR |
| 23+ | 0.80 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
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Technische Details BUK7M8R0-40EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0066 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK7M8R0-40EX nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BUK7M8R0-40EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel 40 V, 8.5 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 |
auf Bestellung 21585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M8R0-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0066 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M8R0-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0066 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M8R0-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 69A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK7M8R0-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48.8A; Idm: 276A; 75W Application: automotive industry Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Gate charge: 23.8nC Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 276A Drain current: 48.8A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7M8R0-40EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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| BUK7M8R0-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48.8A; Idm: 276A; 75W Application: automotive industry Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Gate charge: 23.8nC Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 276A Drain current: 48.8A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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