Produkte > NEXPERIA USA INC. > BUK7S0R7-40HJ
BUK7S0R7-40HJ

BUK7S0R7-40HJ Nexperia USA Inc.


BUK7S0R7-40H.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BUK7S0R7-40HJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7S0R7-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 425 A, 620 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 425A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote BUK7S0R7-40HJ nach Preis ab 3.92 EUR bis 9.98 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40HJ Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7S0R7-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.98 EUR
10+6.70 EUR
100+4.83 EUR
500+4.04 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40HJ Hersteller : NEXPERIA BUK7S0R7-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK7S0R7-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 425 A, 620 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40HJ Hersteller : NEXPERIA BUK7S0R7-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK7S0R7-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 425 A, 620 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40HJ Hersteller : NEXPERIA buk7s0r7-40h.pdf N-channel 40 V Standard level MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40HJ Hersteller : NEXPERIA buk7s0r7-40h.pdf N-channel 40 V Standard level MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R7-40HJ Hersteller : NEXPERIA BUK7S0R7-40H.pdf BUK7S0R7-40HJ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7S0R7-40HJ BUK7S0R7-40HJ Hersteller : Nexperia BUK7S0R7_40H-2937980.pdf MOSFET BUK7S0R7-40H/SOT1235/LFPAK88
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH