BUK7S2R0-40HJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Technische Details BUK7S2R0-40HJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7S2R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0017 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 183W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK7S2R0-40HJ nach Preis ab 1.89 EUR bis 5.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BUK7S2R0-40HJ | Nexperia USA Inc. |
Description: BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1235 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 5660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7S2R0-40HJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S2R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0017 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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BUK7S2R0-40HJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S2R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0017 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 183W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK7S2R0-40HJ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.13 EUR |
| 10+ | 3.49 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 1000+ | 1.89 EUR |
| BUK7S2R0-40HJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7S2R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0017 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 190A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK7S2R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0017 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: LFPAK88
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BUK7S2R0-40HJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7S2R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0017 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK7S2R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0017 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33 Stücke:
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