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BUK7Y15-100EX

BUK7Y15-100EX Nexperia


3007222241500071buk7y15-100e.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK7Y15-100EX Nexperia

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 54.5nC, On-state resistance: 41.5mΩ, Drain current: 48A, Power dissipation: 195W, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 274A, Drain-source voltage: 100V, Application: automotive industry, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669.

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BUK7Y15-100EX BUK7Y15-100EX Hersteller : Nexperia 3007222241500071buk7y15-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7Y15-100EX BUK7Y15-100EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7Y15-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56
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BUK7Y15-100EX BUK7Y15-100EX Hersteller : Nexperia BUK7Y15-100E-1320054.pdf MOSFET N-channel 60 V 15 mOhm MOSFET
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BUK7Y15-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK7Y15-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54.5nC
On-state resistance: 41.5mΩ
Drain current: 48A
Power dissipation: 195W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
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