BUK7Y15-100EX NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54.5nC
On-state resistance: 41.5mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Application: automotive industry
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details BUK7Y15-100EX NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 54.5nC, On-state resistance: 41.5mΩ, Drain current: 48A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 274A, Power dissipation: 195W, Application: automotive industry, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BUK7Y15-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
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BUK7Y15-100EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
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BUK7Y15-100EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
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BUK7Y15-100EX | Hersteller : Nexperia |
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BUK7Y15-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 54.5nC On-state resistance: 41.5mΩ Drain current: 48A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 195W Application: automotive industry Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
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