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BUK7Y38-100EX

BUK7Y38-100EX Nexperia


3012687003195637buk7y38-100e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details BUK7Y38-100EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7Y38-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0245 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0245ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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BUK7Y38-100EX BUK7Y38-100EX Hersteller : Nexperia 3012687003195637buk7y38-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y38-100EX BUK7Y38-100EX Hersteller : Nexperia 3012687003195637buk7y38-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y38-100EX BUK7Y38-100EX Hersteller : Nexperia BUK7Y38-100E.pdf MOSFETs BUK7Y38-100E/SOT669/LFPAK
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BUK7Y38-100EX BUK7Y38-100EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7Y38-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK7Y38-100EX BUK7Y38-100EX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7Y38-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0245 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0245ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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BUK7Y38-100EX BUK7Y38-100EX Hersteller : NEXPERIA 3012687003195637buk7y38-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y38-100EX BUK7Y38-100EX Hersteller : Nexperia 3012687003195637buk7y38-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y38-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK7Y38-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 95W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y38-100EX BUK7Y38-100EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7Y38-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK7Y38-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK7Y38-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 95W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
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