BUK7Y38-100EX Nexperia
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Technische Details BUK7Y38-100EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y38-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0245 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0245ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK7Y38-100EX nach Preis ab 0.64 EUR bis 1.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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BUK7Y38-100EX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK7Y38-100EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK7Y38-100EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7Y38-100EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel 40 V, 3.0 mohm standard level MOSFET in LFPAK56 |
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BUK7Y38-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y38-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0245 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0245ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7Y38-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK7Y38-100EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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| BUK7Y38-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 95W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7Y38-100EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| BUK7Y38-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 95W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
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