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BUK9217-75B,118

BUK9217-75B,118 Nexperia USA Inc.


BUK9217-75B.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BUK9217-75B,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 75V 64A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Hersteller : Nexperia 4380432857226447buk9217-75b.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1697 Stücke:
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Hersteller : Nexperia 4380432857226447buk9217-75b.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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75+2.09 EUR
87+ 1.74 EUR
89+ 1.65 EUR
95+ 1.47 EUR
105+ 1.28 EUR
250+ 1.18 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.75 EUR
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9217-75B.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Hersteller : Nexperia BUK9217_75B-2937819.pdf MOSFET BUK9217-75B/SOT428/DPAK
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Hersteller : NEXPERIA 4380432857226447buk9217-75b.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Hersteller : NEXPERIA PHGLS22293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Hersteller : NEXPERIA PHGLS22293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
auf Bestellung 8736 Stücke:
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BUK9217-75B,118 Hersteller : NEXPERIA BUK9217-75B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; Idm: 256A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BUK9217-75B,118 Hersteller : NEXPERIA BUK9217-75B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; Idm: 256A; 167W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
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