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BUK9217-75B,118

BUK9217-75B,118 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details BUK9217-75B,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 185°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Nexperia 4380432857226447buk9217-75b.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 NEXPERIA PHGLS22293-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Nexperia BUK9217_75B-2937819.pdf MOSFET BUK9217-75B/SOT428/DPAK
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BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 NEXPERIA BUK9217-75B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
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BUK9217-75B,118
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 185°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
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