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BUK9611-80E,118

BUK9611-80E,118 Nexperia USA Inc.

BUK9611-80E.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.79 EUR
1600+1.66 EUR
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Technische Details BUK9611-80E,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 8300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Hersteller : Nexperia 3006901939609840buk9611-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
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BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Hersteller : Nexperia BUK9611-80E.pdf MOSFETs SOT404 N-CH 80V 75A
auf Bestellung 5052 Stücke:
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10+2.82 EUR
100+2.11 EUR
500+1.9 EUR
800+1.44 EUR
2400+1.42 EUR
4800+1.38 EUR
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BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9611-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+5.17 EUR
10+3.36 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Hersteller : NEXPERIA BUK9611-80E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 8300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Hersteller : NEXPERIA 3006901939609840buk9611-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Hersteller : Nexperia 3006901939609840buk9611-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9611-80E,118 Hersteller : NEXPERIA BUK9611-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 327A; 182W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 327A
Power dissipation: 182W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK9611-80E,118 Hersteller : NEXPERIA BUK9611-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 327A; 182W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 327A
Power dissipation: 182W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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