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BUK9K13-40HX

BUK9K13-40HX Nexperia USA Inc.

BUK9K13-40H.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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Technische Details BUK9K13-40HX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0114 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0114ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0114ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUK9K13-40HX BUK9K13-40HX Hersteller : Nexperia BUK9K13-40H.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 42A
auf Bestellung 2900 Stücke:
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Anzahl Preis
2+1.66 EUR
10+1.28 EUR
100+0.93 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.7 EUR
1500+0.58 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BUK9K13-40HX BUK9K13-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9K13-40H.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.92 EUR
12+1.47 EUR
100+1.01 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BUK9K13-40HX BUK9K13-40HX Hersteller : NEXPERIA 3191456.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0114 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0114ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0114ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK9K13-40HX BUK9K13-40HX Hersteller : NEXPERIA 3191456.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0114 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0114ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0114ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK9K13-40HX Hersteller : NEXPERIA buk9k13-40h.pdf Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK9K13-40HX BUK9K13-40HX Hersteller : Nexperia buk9k13-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9K13-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9K13-40H.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A; 46W
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK33; SOT1210
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.4nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 169A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9K13-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9K13-40H.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A; 46W
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK33; SOT1210
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19.4nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 169A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
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