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BUK9K134-100EX

BUK9K134-100EX Nexperia

3013213115064510buk9k134-100e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK9K134-100EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9K134-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.122 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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BUK9K134-100EX BUK9K134-100EX Hersteller : Nexperia 3013213115064510buk9k134-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9K134-100EX BUK9K134-100EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9K134-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 8.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159mOhm @ 5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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1500+0.66 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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BUK9K134-100EX BUK9K134-100EX Hersteller : Nexperia BUK9K134-100E.pdf MOSFETs SOT1205 100V 8.5A
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BUK9K134-100EX BUK9K134-100EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9K134-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 8.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159mOhm @ 5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 9675 Stücke:
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10+1.95 EUR
12+1.53 EUR
100+1.04 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BUK9K134-100EX BUK9K134-100EX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9K134-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK9K134-100EX BUK9K134-100EX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9K134-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK9K134-100EX BUK9K134-100EX Hersteller : NEXPERIA 3013213115064510buk9k134-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EX BUK9K134-100EX Hersteller : Nexperia 3013213115064510buk9k134-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9K134-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK9K134-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 32W
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56D; SOT1205
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.4nC
On-state resistance: 154mΩ
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±10V
Power dissipation: 32W
Pulsed drain current: 34A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9K134-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK9K134-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 32W
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56D; SOT1205
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.4nC
On-state resistance: 154mΩ
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±10V
Power dissipation: 32W
Pulsed drain current: 34A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 100V
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