BUK9K134-100EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 8.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159mOhm @ 5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1500+ | 0.68 EUR |
| 3000+ | 0.63 EUR |
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Technische Details BUK9K134-100EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K134-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.122 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK9K134-100EX nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BUK9K134-100EX | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K134-100EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 8.5A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159mOhm @ 5A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 4047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K134-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K134-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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BUK9K134-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K134-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K134-100EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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| BUK9K134-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 32W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 32W Case: LFPAK56D; SOT1205 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 154mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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