BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.5 EUR |
| 10+ | 1.91 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
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Technische Details BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9K22-80EX nach Preis ab 1.12 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BUK9K22-80EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
auf Bestellung 2401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K22-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K22-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K22-80EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9K22-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Power - Max: 64W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
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| BUK9K22-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 15A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 64W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 54.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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