BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.98 EUR |
| 10+ | 2.27 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote BUK9K22-80EX nach Preis ab 1.33 EUR bis 4.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9K22-80EX | Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
auf Bestellung 2401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
BUK9K22-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 5125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
BUK9K22-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 5125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK9K22-80EX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.5 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| BUK9K22-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BUK9K22-80EX |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



