BUK9K35-60E,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.48 EUR |
| 14+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
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Technische Details BUK9K35-60E,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 38W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 38W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9K35-60E,115 nach Preis ab 0.8 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BUK9K35-60E,115 | Nexperia |
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auf Bestellung 1224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K35-60E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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BUK9K35-60E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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BUK9K35-60E,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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Mindestbestellmenge: 1454 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK9K35-60E,115 |
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Hersteller: Nexperia
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| 2+ | 2.92 EUR |
| 10+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| BUK9K35-60E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
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Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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| BUK9K35-60E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
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Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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| BUK9K35-60E,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
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Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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