BUK9K35-60E,115 Nexperia
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Technische Details BUK9K35-60E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 38W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 38W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9K35-60E,115 nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.25 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||||
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 6975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
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BUK9K35-60E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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