BUK9M11-40HX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.5 EUR |
| 4500+ | 0.44 EUR |
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Technische Details BUK9M11-40HX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BUK9M11-40HX nach Preis ab 0.56 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BUK9M11-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M11-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M11-40HX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9M11-40HX | NXP Semiconductors |
BUK9M11-40HX |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9M11-40HX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 1.19 EUR |
| 240+ | 0.96 EUR |
| 290+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| BUK9M11-40HX |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 1.19 EUR |
| 240+ | 0.96 EUR |
| 290+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| BUK9M11-40HX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
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Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
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Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
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Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.8 EUR |
| 19+ | 1.12 EUR |
| 50+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| BUK9M11-40HX |
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Hersteller: NXP Semiconductors
BUK9M11-40HX
BUK9M11-40HX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 694+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |