BUK9M12-60EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BUK9M12-60EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9M12-60EX nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BUK9M12-60EX | Nexperia |
MOSFETs N-channel 100 V, 120 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 |
auf Bestellung 5540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9M12-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M12-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M12-60EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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| BUK9M12-60EX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 100 V, 120 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
MOSFETs N-channel 100 V, 120 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.93 EUR |
| 10+ | 1.46 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 1500+ | 0.67 EUR |
| BUK9M12-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 101+ | 2.48 EUR |
| 144+ | 1.62 EUR |
| 202+ | 1.06 EUR |
| 223+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| BUK9M12-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 101+ | 2.48 EUR |
| 144+ | 1.62 EUR |
| 202+ | 1.06 EUR |
| 223+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| BUK9M12-60EX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.57 EUR |
| 13+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |