BUK9M12-60EX Nexperia
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Technische Details BUK9M12-60EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9M12-60EX nach Preis ab 0.65 EUR bis 1.72 EUR
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BUK9M12-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK9M12-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BUK9M12-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M12-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
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BUK9M12-60EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
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BUK9M12-60EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
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BUK9M12-60EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
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| BUK9M12-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 216A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 216A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M12-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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| BUK9M12-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 216A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 216A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V |
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